收藏本站
NTD5807N, NVD5807N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
45
40
10 V
V GS = 5 V
T J = 25 ° C
50
V DS ≥ 10 V
35
4.5 V
40
30
25
20
15
10
4.2 V
4.0 V
3.8 V
3.4 V
30
20
10
T J = 25 ° C
T J = 150 ° C
5
0
0
1
2
3
4
5
3.0 V
6
0
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
6
0.025
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.040
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.023
0.021
0.019
0.017
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
0.038
0.036
0.034
0.032
0.030
0.028
0.026
0.024
0.022
0.020
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.018
0.015
5
10
15
20
25
0.016
5
10
15
20
25
30
35
40
45
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.7
1.6
I D = 5 A
V GS = 10 V
10,000,000
1,000,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.5
1.4
1.3
100,000
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
10,000
1000
T J = 25 ° C
0.7
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
2
12
22
32
42
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NVD5862NT4G MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
NVD5863NLT4G MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4
NVD5865NLT4G MOSFET N CH 60V DPAK-4
NVD5867NLT4G MOSFET N-CH 60V 18A DPAK-4
NVD5890NT4G MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
NVD6415ANLT4G MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
NVF2955PT1G MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223
NVF5P03T3G MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223
相关代理商/技术参数
NVD5862NT4G 功能描述:MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVD5863NLT4G 功能描述:MOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVD5865NLT4G 功能描述:MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVD5867NLT4G 功能描述:MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVD5890N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 123 A, Single Na??Channel DPAK
NVD5890NL 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 3.7 m, 123 A, Single N.Channel DPAK
NVD5890NLT4G 功能描述:MOSFET 40V T2 DPAK USR GRESHAM F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVD5890NT4G 功能描述:MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube